Transphorm的表面贴装封装产品系列增加行业标准TO-263 (D2PAK)封装产品,扩大SuperGaN平台的优势

2022-07-19 11:24:07 来源:EETOP

新型50mOhm SuperGaN晶体管化并加快基于氮化的高功率系的开,适用于数据中心和广泛工业应

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加州戈拉塔-- (新闻稿)--高可靠性、高性能氮化(GaN)转换产品的先和全球供 (Nasdaq: TGAN) 今天宣布,新增的器件充了其表面装封装品系列。款全新高功率表面装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封装的650V SuperGaN®晶体管 (FET),典型通阻抗50mOhmTP65H050G4BSTransphorm的第七款SMD,丰富了目前面向中低功率用的PQFN器件。

TP65H050G4BSJEDEC认证为设计者和制造商提供了多项优势能他通常用于数据中心和广泛工业应用的高功率(数千瓦到几千瓦)系。它具有Transphorm一流的可靠性、健性(±20 Vmax)和抗硅噪声阈值(4V),以及氮化所具的易设计性和驱动性能。工程师们需要使用大的D2PAK足更高的功率和表面装封装需求。与PQFN封装相比,D2PAK可以实现更好的性能,同帮助用过单一的制造流程提高PCB装效率。

D2PAK可作分立器件提供,也可配套垂直子卡,以提高Transphorm2.5kW AC-DC桥图腾柱功率因素校正(PFC)估板的功率密度。可以切1.2kW同步半估板,以驱动多千瓦功率。

Transphorm全球营销用和业务发展高Philip Zuk表示:“D2PAK们产合的一个重要充。它将我SMD品的可用性拓展至高功率域,而之前我用通孔器件支持用。客得我氮化平台的多项优势,如熟悉的TO-XXX封装消除了设计化了系并加快了品上市速度。

Transphorm是当前提供TO-XXX封装的高氮化器件的唯一氮化商。得注意的是,于其固有的坏敏感性,些封装品不支持替代性的增型氮化

品供

上述器件和估板可通下述接在Digi-KeyMouser购买

· TP65H050G4BS FET / 

· 2.5 kW估板(TDTTP2500B066B-KIT) / 

· 1.2 kW 估板 (TDHBG1200DC100-KIT) / 

 

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化革命的全球领导者,致力于设计、制造和售用于高压电转换应用的高性能、高可靠性的氮化体功率器件。Transphorm有最大的功率氮化识产合之一,持有或取得授利超1,000,在界率先生产经JEDECAEC-Q101认证的高氮化体器件。得益于垂直整合的业务模式,Transphorm品和技的每一个新:设计、制造、器件和用支持。Transphorm新正在使设备突破硅的局限性,以使效率超99%、将功率密度提高40%以及将系成本降低20%Transphorm部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津有制造工厂。如需了解更多信息,请访问 迎在Twitter 和微信@Transphorm_GaN上关注我

SuperGaN标记Transphorm的注册商。所有其他商是其各自所有者的财产

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